트랜지스터의 컬렉터property(특성)
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작성일 23-01-09 10:50
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다른 커브들 각각의 종단점들은 유사하게 이와같은 전력 범위내로 제한된다
transistor는 전력소모 정격내에서 동작되어야 한다.
순서
그림1은 2N4074에 대한 약간의 characteristic(특성)을 보여준다. 여기서는 VCE의 큰 變化(변화)도 컬렉터에 작은 전류…(skip)
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다. 기술자는 그들이 사용하는 transistor 매뉴얼과 친숙해야한다.0_트랜지스터의컬렉터특성 , 트랜지스터의 컬렉터특성공학기술레포트 ,
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트랜지스터의 컬렉터property(특성)
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트랜지스터의 컬렉터property(특성)에 대한 글입니다.
세로축 VCE = -1의 오른쪽에서는 컬렉터 전류가 실질적으로 컬렉터 전압에 관계없고 주로
베이스 전류에만 좌우된다는 것을 주목하는것도 재미있다아 또 하나의 주목할 가치가 있는 사실은 각 커브의 종단점이다. 그러므로 커브상의 종단점에서 VCE와 Ic 의 곱은 144mW이다. 다른 characteristic(특성)은 여기서 skip한다. 각 커브는 입력 베이스 전류의 증가에 따라 컬렉터 전류가 증가함을 반영하고 있음에 주목해야한다.
5. transistor characteristic(특성) 커브
transistor 메뉴얼에 포함된 transistor characteristic(특성)커브는 transistor에 관하여 그래픽 형태로 정보를 제공한다. 더욱이 사용된 기호는 비록 상당 수준으로 표준화 되었지만 항상 같지는 않다. IB = 0 아래 빗금친 부분은 차단 영역으로 불리운다. VCE에서의 작은 變化(변화)가 Ic에서의 큰 變化(변화)로 결과 되어 진다. 이값은 transistor의 종단점은 전력소모 정격 150mA에 근접한다. 이 커브들은 transistor 매개 변수 變化(변화)에 대한 效果(효과)를 보여줌으로 회로설
자 그리계고 기술자에게 중요한 정보원이 된다
2. mean or average(평균) 콜랙터 characteristic(특성), 공통 이미터 회로구성.
그림 2는 PNP형 2N217 공통 이미터 구성 회로에 대한 mean or average(평균) 콜랙터 characteristic(특성) VCE와 Ic를 보여준다. 커브들의 왼쪽 빗금친 영역은 transistor의 포화(최대 도통)영역을 표시한다.
0.1mA의 베이스 바이어스 전류에 대하여 커브는 VCE = -12V에서 끝난다.
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각 커브는 VCE의 함수(VCE 의 여러값에 대한)로서 Ic를 그리므로 얻어진다.
이점에서 컬렉터 전류는 대략 12mA이다. 모 든 transistor 매뉴얼 리스트(manual list)가 그들의 characteristic(특성)을 이런 식으로 표시하지는 않는다.
